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  • 14
    2025-10
    丹東半導(dǎo)體設(shè)備的日常維護(hù)可從四個(gè)核心維度推進(jìn)。其一為關(guān)鍵部件清潔,需定期對(duì)設(shè)備腔體、管路接口及傳感器表面進(jìn)行清潔,使用無(wú)塵布蘸取半導(dǎo)體行業(yè)專用中性清潔劑,輕柔擦拭以去除物料殘留與粉塵...
  • 14
    2025-10
    丹東離子源配件的清潔流程需遵循“分步處理、減少殘留”的原則,具體可分為四步。第一步為預(yù)處理,需先將丹東離子源配件從設(shè)備中平穩(wěn)拆除...
  • 14
    2025-10
    蒸發(fā)臺(tái)坩堝符合SEMI標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵要求集中在三個(gè)核心維度。其一為材質(zhì)雜質(zhì)控制,需符合SEMI F57標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備接觸材質(zhì)的低雜質(zhì)要求,例如用于處理高純度硅基前驅(qū)體的蒸發(fā)臺(tái)坩堝,其金屬離子溶出量需控制在ppb級(jí)別...
  • 14
    2025-10
    在半導(dǎo)體行業(yè)蒸發(fā)臺(tái)行星鍋的材質(zhì)選擇中,物料純度兼容性是首要依據(jù)。依據(jù)SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))F57標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備接觸材質(zhì)的要求,針對(duì)高純度、強(qiáng)腐蝕性化學(xué)試劑,優(yōu)先選用半導(dǎo)體級(jí)316L不銹鋼...
  • 13
    2025-10
    材質(zhì)定制是離子源弧光室適配特殊工藝的基礎(chǔ)。針對(duì)含氟、氯等腐蝕性等離子的工藝場(chǎng)景,可定制碳化硅、氮化鋁等耐蝕材質(zhì)的離子源弧光室,避免腔體被腐蝕導(dǎo)致雜質(zhì)脫落;針對(duì)高純度要求的半導(dǎo)體離子注入工藝...
  • 13
    2025-10
    高溫蒸發(fā)工藝需優(yōu)先關(guān)注蒸發(fā)臺(tái)配件的耐高溫與抗腐蝕性能。例如加熱組件應(yīng)選用鎳鉻合金、鉬合金等耐高溫材質(zhì),避免高溫下出現(xiàn)氧化熔斷;物料承載配件(如坩堝)建議適配陶瓷、碳化硅材質(zhì),這類材質(zhì)在高溫環(huán)境下化學(xué)穩(wěn)定性強(qiáng),可減少與金屬物料的反應(yīng)...
  • 13
    2025-10
    材質(zhì)特性是影響注入機(jī)離子源燈絲壽命的基礎(chǔ)因素。不同材質(zhì)的燈絲耐受高溫與離子轟擊的能力存在差異,例如鎢材質(zhì)燈絲雖具備較好的耐高溫性,但在長(zhǎng)期接觸氟、氯等腐蝕性離子時(shí),易發(fā)生化學(xué)反應(yīng)導(dǎo)致表層剝落,縮短壽命...
  • 10
    2025-10
    材質(zhì)適配是注入機(jī)離子源配件應(yīng)用的首要要點(diǎn)。需根據(jù)注入離子類型與能量等級(jí),選擇對(duì)應(yīng)耐受材質(zhì),例如在高能離子注入場(chǎng)景中,配件需選用碳化硅、高溫合金等耐轟擊材質(zhì),避免離子沖擊導(dǎo)致配件表層脫落...
  • 10
    2025-10
    光刻工藝對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備配件的精度要求最為嚴(yán)苛,選型時(shí)需優(yōu)先選擇微米級(jí)乃至納米級(jí)精度的定位配件與傳動(dòng)組件,確保晶圓與光刻鏡頭的相對(duì)位置誤差控制在極小范圍,避免因配件精度不足導(dǎo)致光刻圖案偏移...
  • 10
    2025-10
    選型適配是丹東離子源配件應(yīng)用的首要要點(diǎn)。需根據(jù)半導(dǎo)體制造的具體工藝需求(如離子注入劑量、薄膜沉積材質(zhì)),匹配配件的型號(hào)規(guī)格——例如在高劑量離子注入工藝中...